| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：平行延伸的多个导线，每个导线具有沿第一方向延伸的第一区域以及与第一区域耦接并沿与第一方向相交叉的第二方向延伸的第二区域；以及多个接触焊盘，每个接触焊盘与第二区域的相应导线耦接，其中，所述导线被分组并被布置在多个组中，第一组的第一区域比第二组的第一区域更长，并且第一组的第二区域与第二组的第二区域彼此间隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN102956614A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201210308700.8 | 申请日期 | 2012.08.27 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 严大成 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 周晓雨;俞波 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：多个导线，所述多个导线平行延伸，并且每个导线包括沿第一方向延伸的第一区域以及与所述第一区域耦接并沿与所述第一方向相交叉的第二方向延伸的第二区域；以及多个接触焊盘，每个接触焊盘与所述导线中的相应一个的第二区域耦接，其中，所述多个导线被分组并被布置在多个组中，第一组的第一区域比第二组的第一区域更长，第一组的第二区域与第二组的第二区域彼此间隔开。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||