半导体结构及其制作方法、MOS晶体管及其制作方法

摘要

一种半导体结构的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极侧壁形成有偏移侧墙，所述偏移侧墙包括与栅极侧壁接触的第一氧化硅层和位于第一氧化硅层外侧的第一氮化硅层；在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙，所述主侧墙包括位于第一氮化硅层外侧的第二氧化硅层和位于第二氧化硅层外侧的第二氮化硅层；利用第一刻蚀溶液刻蚀去除所述主侧墙的第二氮化硅层；利用第二刻蚀溶液刻蚀去除部分厚度的第一氮化硅层；利用第三刻蚀溶液去除所述主侧墙的第二氧化硅层；在半导体衬底、栅极、偏移侧墙上形成应力层。本发明方法增加了晶体管沟道区的应力，提高了载流子的迁移率，增强了晶体管的性能。

主权项

一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极侧壁形成有偏移侧墙，所述偏移侧墙包括与栅极侧壁接触的第一氧化硅层和位于第一氧化硅层外侧的第一氮化硅层；在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙，所述主侧墙包括位于第一氮化硅层外侧的第二氧化硅层和位于第二氧化硅层外侧的第二氮化硅层；利用第一刻蚀溶液刻蚀去除所述主侧墙的第二氮化硅层；利用第二刻蚀溶液刻蚀去除部分厚度的第一氮化硅层；利用第三刻蚀溶液去除所述主侧墙的第二氧化硅层；在半导体衬底、栅极、偏移侧墙上形成应力层。