| 发明名称 | 非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在具有单元区和外围电路区的衬底之上形成栅层；在单元区中形成与用于选择线的区域和相邻的选择线之间的区域相对应的栅图案，其中，在形成所述栅图案期间，通过选择性地刻蚀栅层来形成单元区中的字线和外围电路区中的外围电路栅；在外围电路栅的侧壁上形成间隔件；以及通过选择性地刻蚀栅图案中的与所述相邻的选择线之间的区域相对应的部分来形成选择线。 | ||
| 申请公布号 | CN102956564A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201210022321.2 | 申请日期 | 2012.02.01 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 权在淳 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;许伟群 |
| 主权项 | 一种用于制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在具有单元区和外围电路区的衬底之上形成栅层；在所述单元区中形成与用于选择线的区域以及相邻的选择线之间的区域相对应的栅图案，其中，在形成所述栅图案期间，通过选择性地刻蚀所述栅层来形成所述单元区中的字线和所述外围电路区中的外围电路栅；在所述外围电路栅的侧壁上形成间隔件；以及通过选择性地刻蚀所述栅图案中的与所述相邻的选择线之间的区域相对应的部分来形成所述选择线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||