具有界面绒化层的GaP基发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有界面绒化层的GaP基发光二极管，包括：P-GaP衬底，在P-GaP上依次外延生长的p-GaP缓冲层、布拉格反射层、p型包覆层、有源层、n型包覆层、电流扩展层和欧姆接触层；在电流扩展层和欧姆接触层之间具有界面绒化层；其中，界面绒化层为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，x为0.2～0.3，y为0.35～0.45；界面绒化层的掺杂浓度为5×1020～1×1021；界面绒化层的外延厚度为0.1～0.3微米。该发光二极管的外量子效率高，亮度高。

主权项

一种发光二极管，包括： P‑GaP衬底， 在P‑GaP上依次外延生长的p‑GaP缓冲层、布拉格反射层、p型包覆层、有源层、n型包覆层、电流扩展层和欧姆接触层；其特征在于， 在电流扩展层和欧姆接触层之间具有界面绒化层；其中， 界面绒化层为n‑(AlxGa1‑x)yIn1‑yP，其中x为0.2～0.3，y为0.35～0.45； 界面绒化层的掺杂浓度为1×1020～5×1021，界面绒化层的外延厚度优选为0.1～0.3微米。