| 发明名称 | 高压器件的外延层制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种高压器件的外延层制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成外延层，外延层具有第一厚度；平坦化外延层；在外延层上形成牺牲层；去除牺牲层，留下的外延层具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度。依照本发明的高压器件的外延层制造方法，能有效改善外延层平整度、提升后面诸如光刻工艺的良品率，从而最终提高诸如击穿电压、开启电压的器件参数的均匀性、大大提升了芯片的良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN102956444A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110235330.5 | 申请日期 | 2011.08.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王红丽;李俊峰 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种高压器件的外延层制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成外延层，外延层具有第一厚度；平坦化外延层；在外延层上形成牺牲层；去除牺牲层，留下的外延层具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||