| 发明名称 | 具有界面绒化层的InP基发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管，包括：P-InP衬底，在P-InP上依次外延生长的p-InP缓冲层、布拉格反射层、p型包覆层、有源层、n型包覆层、电流扩展层和欧姆接触层；在电流扩展层和欧姆接触层之间具有界面绒化层；其中，界面绒化层为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，x为0.2～0.3，y为0.35～0.45；界面绒化层的掺杂浓度为5×1020～1×1021；界面绒化层的外延厚度为0.1～0.3微米。该发光二极管的外量子效率高，亮度高。 | ||
| 申请公布号 | CN102956778A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201210418773.2 | 申请日期 | 2012.10.26 |
| 申请人 | 江苏威纳德照明科技有限公司 | 发明人 | 虞浩辉;周宇杭 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 黄明哲 |
| 主权项 | 一种发光二极管，包括：P‑InP衬底，在P‑InP上依次外延生长的p‑InP缓冲层、布拉格反射层、p型包覆层、有源层、n型包覆层、电流扩展层和欧姆接触层；其特征在于，在电流扩展层和欧姆接触层之间具有界面绒化层；其中，界面绒化层为n‑(AlxGa1‑x)yIn1‑yP，其中x为0.2～0.3，y为0.35～0.45；界面绒化层的掺杂浓度为1×1020～5×1021，界面绒化层的外延厚度优选为0.1～0.3微米。 | ||
| 地址 | 213342 江苏省常州市溧阳市社渚镇创新路8号 | ||