| 发明名称 | 用于低温共烧陶瓷电路和装置的混合金属体系导体 | ||
| 摘要 | 本发明公开了形成过渡通路和过渡线路导体的组合物以最小化相异金属组合物之间电连接的界面效应。所述组合物具有(a)选自(i)20-45重量%的金和55-80重量%的银，以及(ii)100重量%的金银固溶体合金的无机组分，和(b)有机介质。所述组合物还可包含(c)基于组合物的重量计1-5重量%的选自铜、钴、镁、铝和/或主要包含高熔点氧化物的高粘性玻璃的氧化物或混合金属氧化物。所述组合物可用作通路填充物中的一种多层组合物。也可以使用所述用于形成过渡通路和过渡线路导体的组合物来形成诸如LTTC电路和装置的多层电路。 | ||
| 申请公布号 | CN102960076A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201080059152.9 | 申请日期 | 2010.12.29 |
| 申请人 | E·I·内穆尔杜邦公司 | 发明人 | K·M·奈尔;S·E·戈登;M·F·麦库姆斯 |
| 分类号 | H05K1/09(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I | 主分类号 | H05K1/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 朱黎明 |
| 主权项 | 形成过渡通路和过渡线路导体的组合物，所述组合物包含(a)选自(i)20‑45重量%的金和55‑80重量%的银，以及(ii)100重量%的金银固溶体合金的无机组分，和(b)有机介质。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||