| 发明名称 | 光电转换基底、辐射检测器、射线照相图像捕获装置以及辐射检测器的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种光电转换基底，包括：多个像素，每个像素设置有形成在所述基底上的传感器部分和开关元件，所述传感器部分包括根据照射光线产生电荷的光电转换元件，所述开关元件从传感器部分读取电荷；平整层，所述平整层整平所述光电转换基底的其上形成有开关元件和传感器部分的表面；导电部件，所述导电部件形成在平整层的整个表面上；及将导电部件接地的连接部分。 | ||
| 申请公布号 | CN102956665A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201210270199.0 | 申请日期 | 2012.07.31 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 大田恭义;佐藤圭一郎;西纳直行;中津川晴康 |
| 分类号 | H01L27/30(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;G01T1/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤雄军 |
| 主权项 | 一种光电转换基底，包括：多个像素，每个像素设置有形成在所述光电转换基底上的传感器部分和开关元件，所述传感器部分包括根据照射光线产生电荷的光电转换元件，所述开关元件从传感器部分读取电荷；平整层，所述平整层整平所述光电转换基底的其上形成有所述开关元件和所述传感器部分的表面；导电部件，所述导电部件形成在所述平整层的整个表面上；及将所述导电部件接地的连接部分。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||