用于功率MOSFET应用的低电阻栅极及其制造方法

摘要

如下形成一种沟槽栅场效应晶体管。在半导体区中形成沟槽，接下来，形成衬在沟槽的侧壁和底部上并在邻近沟槽的台面区上方延伸的电介质层。在电介质层上方的沟槽底部中形成导电晶种层。在导电晶种层上方生长低电阻材料，其中，该低电阻材料对导电晶种层具有选择性。

主权项

一种形成沟槽栅场效应晶体管的方法，包括：在半导体区中形成沟槽，所述半导体区包括第一导电类型的衬底和所述衬底上方的第一导电类型的硅区，相比于所述衬底，所述硅区具有较低的掺杂浓度；在所述硅区中形成第二导电类型的阱区；形成衬在所述沟槽的侧壁和底部上并在邻近所述沟槽的台面区上方延伸的电介质层；以及在所述沟槽中形成通过所述电介质层与所述半导体区绝缘的栅电极，其中，形成所述栅电极包括：在所述电介质层上方的所述沟槽的底部中形成导电晶种层，所述导电晶种层具有位于所述阱区的底面下方的上表面；以及在所述导电晶种层上方生长低电阻材料，其中，所述低电阻材料对所述导电晶种层具有选择性并且包括金属、金属化合物、应变Si或SiGe、或掺杂多晶硅。