发明名称 舍吲哚晶型及其制备方法
摘要 本发明公开了一种舍吲哚晶型及其制备方法,舍吲哚A晶型:使用CuKα辐射,以2θ角度表示的X-射线粉末衍射在15.04±0.2、19.95±0.2、20.70±0.2、20.92±0.2、22.45±0.2、26.61±0.2有特征峰;舍吲哚B晶型:使用CuKα辐射,以2θ角度表示的X-射线粉末衍射在13.11±0.2、19.28±0.2、20.09±0.2、20.46±0.2、21.21±0.2、22.92±0.2有特征峰。本发明的舍吲哚晶型具有良好的溶解度,制备口服给药制剂,可使活性药物的吸收率提高,生物利用度增大,具有重要的生物制药学优势。
申请公布号 CN101591330B 申请公布日期 2013.03.06
申请号 CN200910054098.8 申请日期 2009.06.29
申请人 上海医药工业研究院 发明人 李建其;叶雪雁;黄丽瑛
分类号 C07D401/14(2006.01)I;B01D9/02(2006.01)I;A61P25/18(2006.01)I 主分类号 C07D401/14(2006.01)I
代理机构 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 代理人 罗大忱
主权项 舍吲哚A晶型,其特征在于,所述舍吲哚A晶型的X‑粉末衍射图谱如图1所示,纵坐标表示衍射峰的吸收强度计数,1×103,横坐标2θ表示为衍射峰的布拉格角,单位为度。
地址 200040 上海市静安区北京西路1320号