发明名称 |
用于本地互连网络(LIN)总线和类似物的装置接口的自适应静电放电(ESD)保护 |
摘要 |
对装置接口的自适应静电放电(ESD)保护在装置接口被处置时或在安装到系统中或从系统移除时具有非常好的ESD稳健性。且当装置接口在系统中操作时,具有对DPI、电磁干扰(EMI)和类似物的稳健抗扰性。每当待保护的外部连接上不存在(或存在低水平)DPI时,ESD保护金属氧化物半导体(MOS)装置的漏极与栅极之间存在显著的电容性耦合,以增强ESD保护且降低其快回电压。因此当在所述外部连接上检测到显著的DPI/EMI信号时,MOS ESD保护装置的漏极与栅极之间的电容性耦合被断开、旁路或衰减,使得装置的DPI/EMI抗扰性得以增强。 |
申请公布号 |
CN101842955B |
申请公布日期 |
2013.03.06 |
申请号 |
CN200880113868.5 |
申请日期 |
2008.11.21 |
申请人 |
密克罗奇普技术公司 |
发明人 |
菲利普·德沃尔;帕特里克·贝萨厄泽;兰迪·亚奇 |
分类号 |
H02H9/04(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H02H9/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
沈锦华 |
主权项 |
一种具有自适应静电放电保护和噪声信号抑制的集成电路装置,其包括:外部连接,其适于连接到数据总线;数据总线接口,其耦合到所述外部连接;电路功能件,其耦合到所述数据总线接口;静电放电保护电路,其耦合到所述外部连接和所述集成电路装置的共用区;静电放电增强电容器,其耦合到所述外部连接;静电放电电容器控制,其中当所述静电放电电容器控制的输入处于特定控制电压时,所述静电放电电容控制成比例地将所述静电放电增强电容器耦合到所述静电放电保护电路中,直到所述静电放电电容器控制的所述输入达到最大电压为止,接着当所述静电放电电容器控制的所述输入处于所述最大电压时,所述静电放电电容器控制使所述静电放电增强电容器从所述静电放电保护电路去耦;高通滤波器,其耦合到所述外部连接,其中所述高通滤波器放行高频噪声信号,但不放行低频数据信号;以及信号振幅检测器,其耦合到所述高通滤波器,其中当所述高频噪声信号存在于所述外部连接上时,所述信号振幅检测器与所述信号振幅检测器所接收到的所述高频噪声信号成比例地将所述特定控制电压施加到所述静电放电电容器控制。 |
地址 |
美国亚利桑那州 |