微光电感单元及其背读式半导体光电倍增管及其组件

摘要

本发明涉及半导体传感器技术领域，尤其是指微光电感单元及其背读式半导体光电倍增管及其组件；该光电倍增管及其组件由背面每一微光电感单元提供信号，可允许正面光探测的大填充因数；背读式半导体光电倍增管的配置允许大面积填充，且不产生槽栅；背读式半导体光电倍增管的另一优点在于它允许无源和/或有源电子电路应用于背面或单独的特定集成电路(ASIC)来进行信号处理（模拟量和/或数码），同时不影响光子探测效率；各个微光电感单元可凸点键合到有匹配线路板的集成电路用于信号处理；该设计有来自电子体所产生的载流子的天然暗计数率和串扰抑制；此外，槽栅可进一步减少雪崩区域内微光电感单元之间的串扰。

主权项

微光电感单元，其特征在于，所述微光电感单元包括：具有第一侧和第二侧的p‑型半导体衬底，第一侧设置一凹槽，凹槽内填充有导电材料，所述第二侧掺杂有n‑型离子；p‑型半导体衬底的第二侧设置p‑型外延层，p‑型外延层包括：靠近p‑型半导体衬底并掺杂p‑型离子的第一区域，和设置在第一区域上的第二区域，第二区域的掺杂的p‑型离子高于所述第一区域的掺杂水平。