| 发明名称 | 半导体装置和制造该半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。一种制造半导体装置的晶体管的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成栅极图案；在栅极图案的侧壁上形成间隔体；对半导体衬底进行湿式蚀刻以在该半导体衬底中形成第一凹陷，其中，第一凹陷与间隔体相邻；以及对第一凹陷进行湿式蚀刻以在半导体衬底中形成第二凹陷。 | ||
| 申请公布号 | CN102956503A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201210282278.3 | 申请日期 | 2012.08.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金锡勋;金相秀;高铤槿;李炳赞;李善佶;赵真英 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李佳;穆德骏 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的晶体管的方法，包括：在半导体衬底上形成栅极图案；在所述栅极图案的侧壁上形成间隔体；对所述半导体衬底进行湿式蚀刻，以在所述半导体衬底中形成第一凹陷，其中，所述第一凹陷与所述间隔体相邻；以及对所述第一凹陷进行湿式蚀刻，以在所述半导体衬底中形成第二凹陷。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区三星路129 | ||