| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：SOI晶片，其包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；在SOI晶片中形成的相邻的MOSFET，每个所述MOSFET包括形成于所述半导体衬底中的各自的背栅；以及浅沟槽隔离，形成在所述相邻的MOSFET之间以隔开该相邻的MOSFET；其中，所述相邻的MOSFET还包括位于所述背栅的下方的所述半导体衬底中的公共背栅隔离区，所述公共背栅隔离区与所述相邻的MOSFET的背栅之间形成PNP结或NPN结。根据本发明，相邻的MOSFET之间除了通过浅沟槽隔离实现背栅隔离之外，还进一步通过背栅和背栅隔离区中形成的PNP结或NPN结进行隔离，从而使得半导体器件具有更好的绝缘效果，大大降低了半导体器件被意外击穿的可能性。 | ||
| 申请公布号 | CN102956703A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110254340.3 | 申请日期 | 2011.08.31 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/761(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种半导体器件，所述半导体器件包括：SOI晶片，其包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；在SOI晶片中形成的相邻的MOSFET，每个所述MOSFET包括形成于所述半导体衬底中的各自的背栅；以及浅沟槽隔离，形成在所述相邻的MOSFET之间以隔开该相邻的MOSFET；其中，所述相邻的MOSFET还包括位于所述背栅下方的所述半导体衬底中的公共背栅隔离区，所述公共背栅隔离区与所述相邻的MOSFET的背栅之间形成PNP结或NPN结。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||