相变存储器的制造方法

摘要

一种相变存储器的制造方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底至少包含有衬底，依次位于衬底上的阱区、外延层；图案化刻蚀所述阱区、外延层，形成深沟槽；依次采用第一填充层及第二填充层对所述深沟槽进行填充，形成深沟槽隔离区，所述第二填充层位于所述第一填充层表面；还包括对所述第一填充层表面进行处理，形成位于所述第一填充层表面的阻挡层。本发明通过采用第一填充物和第二填充物对深沟槽进行填充形成深沟槽隔离区，并对所述第一填充物进行处理工艺形成阻挡层，通过所述阻挡层可避免第一填充物暴露在后续刻蚀环境中，可以减小后续残余的第二填充层厚度或不需要保留残余的第二填充层，进一步提高深沟槽和浅沟槽的工艺处理空间。

主权项

一种相变存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底至少包含有衬底，依次位于衬底上的阱区、外延层；图案化刻蚀所述阱区、外延层，形成深沟槽；依次采用第一填充层及第二填充层对所述深沟槽进行填充，形成深沟槽隔离区，所述第二填充层位于所述第一填充层表面；其中，采用第二填充层填充深沟槽前，还包括对所述第一填充层表面进行处理，形成位于所述第一填充层表面的阻挡层。