| 发明名称 | 半导体存储设备 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储设备，包括：多个存储单元，配置为与多条字线中的各条相对应，以便存储数据；多个基准存储单元，配置为包括其下电极共用地彼此连接的第一和第二磁性存储器件，以产生对应于各个存储单元的基准电流；以及感测放大部件，配置为感测并放大基准电流和与连接到字线当中被激活字线的存储单元相对应的数据电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101877241B | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN200910151849.8 | 申请日期 | 2009.07.01 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李升妍;吴荣训 |
| 分类号 | G11C11/34(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;G11C5/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 一种半导体存储设备，包括：多个存储单元，配置为与多条字线中的各条相对应，以便存储数据；多个基准存储单元，配置为包括其下电极共用地彼此连接的第一磁性存储器件和第二磁性存储器件，以产生对应于各个存储单元的基准电流；感测放大部件，配置为感测并放大基准电流和与连接到所述字线当中被激活字线的存储单元相对应的数据电流；第一驱动器，配置为响应于写入控制信号而借助地电压来驱动第一磁性存储器件的上电极；以及第二驱动器，配置为响应于写入控制信号而借助核心电压来驱动第二磁性存储器件的上电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||