| 发明名称 | 一种纳米多孔金属负载半导体的光电极材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于太阳电池的光电极材料及其制备方法，特别是一种纳米多孔金属负载半导体的光电极材料及其制备方法，属于光电化学技术领域。一种纳米多孔金属负载半导体的光电极材料，包括厚度为50纳米-100微米的纳米多孔金属和厚度为1纳米-1微米的半导体层，所述半导体层沉积后均匀覆盖在纳米多孔金属三维连续的孔壁表面。本发明制得的用于太阳电池的光电极材料，与传统量子点太阳电池光阳极材料相比，纳米多孔金属具有的三维多孔结构能够为材料提供更好的电子传输途径。 | ||
| 申请公布号 | CN102201459B | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110078259.4 | 申请日期 | 2011.03.30 |
| 申请人 | 山东大学 | 发明人 | 丁轶;毕璇璇 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人 | 周慰曾 |
| 主权项 | 一种纳米多孔金属负载半导体的光电极材料，其特征在于，包括厚度为50纳米‑100微米的纳米多孔金属和厚度为1纳米‑1微米的半导体层，所述半导体层沉积后均匀覆盖在纳米多孔金属三维连续的孔壁表面。 | ||
| 地址 | 250100 山东省济南市历下区山大南路27号 | ||