| 发明名称 | 一种锗基NMOS器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种锗基NMOS器件结构及其制备方法。该方法在源、漏区与衬底之间淀积了二氧化锗(GeO2)和金属氧化物双层介质材料。本发明不但降低了锗基肖特基NMOS源漏处电子的势垒高度，改善了锗基肖特基晶体管的电流开关比，提升了锗基肖特基NMOS晶体管的性能，而且制作工艺与硅CMOS技术完全兼容，保持了工艺简单的优势。相对于现有工艺制备方法，本发明结构及其制造方法简单、有效地提升锗基肖特基NMOS晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102227001B | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110170991.4 | 申请日期 | 2011.06.23 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 黄如;李志强;安霞;郭岳;张兴 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 张肖琪 |
| 主权项 | 一种锗基肖特基NMOS晶体管，其特征在于，在源、漏区域之上的衬底上依次淀积二氧化锗层和金属氧化物层，具体为：在衬底上淀积一层二氧化锗，在二氧化锗层上淀积一层金属氧化物，金属源、漏位于金属氧化物层上，所述金属氧化物界面氧原子密度与GeO2界面氧原子密度比小于0.8。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||