形成金氧半导体场效晶体管的自我对准接触窗的方法

摘要

一种于半导体基板中形成接触窗的方法，该方法包括：于一半导体基板中形成多个分别具有一突出部的沟槽栅极；于该半导体基板上沉积一停止层，并令其延伸至所述突出部上，其中该停止层沿着所述突出部的各侧壁延伸的部分分别被一间隙壁所覆盖；通过该停止层相对所述间隙壁有较高的蚀刻选择性以移除该停止层未被所述间隙壁覆盖的部分，进而在相邻的突出部间形成开口，且在各侧壁上形成一L型部位，然后通过微影制程形成自我对准接触窗。

主权项

一种在一半导体基板中形成开口的制作方法，该半导体基板具有一第一突出部及一第二突出部，该第一突出部具有一第一侧壁与一第二侧壁，该第二突出部具有一第三侧壁与一第四侧壁，其中该第二侧壁与该第三侧壁位于该第一侧壁与该第四侧壁之间，其特征在于：该制作方法包括了以下的工艺步骤：a.在该半导体基板上形成一第一层，令该第一层延伸至该第一突出部与该第二突出部上；b.沿着该第二侧壁形成一第一间隙壁，及沿着该第三侧壁形成一第二间隙壁；及c.通过移除该第一层位于该第一间隙壁与该第二间隙壁间的部分，令一第一开口形成在该半导体基板中且位于该第一突出部与该第二突出部之间，并令该第一层沿着该第二侧壁所留下的部分形成一第一L型部位，该第一层沿着该第三侧壁所留下的部分形成一第二L型部位。