发明名称 |
半导体装置的制造方法及半导体装置 |
摘要 |
一种半导体装置的制造方法及半导体装置,通过通用性较高、能够得到良好的高温环境下的可靠性的方法进行半导体芯片的安装,能够进行半导体装置的高温动作。在安装基板与半导体芯片之间夹装如下的接合层,并在熔融层的熔点以上的温度下保持,通过液相扩散形成比熔融层熔点高的合金层,使安装基板与半导体芯片接合,上述接合层具有:含有从Cu、Al、Ag、Ni、Cr、Zr、Ti中选择的某种金属或其合金的接合支撑层;和夹着接合支撑层而层叠的、含有从Sn、Zn、In中选择的某种金属或由从该金属中选择的两种以上的金属构成的合金的熔融层,上述接合层至少在最外层形成有熔融层。 |
申请公布号 |
CN102956514A |
申请公布日期 |
2013.03.06 |
申请号 |
CN201210282425.7 |
申请日期 |
2012.08.09 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
佐佐木遥;山本敦史;小谷和也;久里裕二;栂嵜隆;北泽秀明 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
徐殿军 |
主权项 |
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具备:在安装基板与半导体芯片之间夹装接合层的工序,该接合层具有:含有从Cu、Al、Ag、Ni、Cr、Zr、Ti中选择的某种金属或其合金的接合支撑层,和夹着上述接合支撑层而层叠的、含有从Sn、Zn、In中选择的某种金属或由从这些金属中选择的两种以上的金属构成的合金的熔融层,该接合层至少在最外层形成上述熔融层;以及在上述熔融层的熔点以上的温度下保持、通过液相扩散形成比上述熔融层熔点高的合金层而使上述安装基板与上述半导体芯片接合的工序。 |
地址 |
日本东京都 |