| 发明名称 |
METHOD OF FORMING A JUNCTION BY ION IMPLANTATION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3607449(A) |
申请公布日期 |
1971.09.21 |
| 申请号 |
USD3607449 |
申请日期 |
1969.09.23 |
| 申请人 |
HITACHI LTD. |
发明人 |
TAKASHI TOKUYAMA;TAKAO MIYAZAKI;TAKASHI TSUCHIMOTO;TADAHISA MORITA;TAKAHIDE IKEDA;SHIGERU NISHIMATSU;HISUMI SANO;MASATADA HORIUCHI |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/225;H01L21/265;H01L21/3115;H01L21/3215;H01L21/329;H01L21/331;H01L23/29;(IPC1-7):H01L7/54 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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