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发明名称
具有场导正层薄膜电容器及其制造方法
摘要
本发明揭示一种用以制造一电容器之方法包含:提供一含金属下电极(12)、制造一在该含金属下电极(12)上之电容器绝缘体(14)、制造一在该电容器绝缘体(14)上之含金属上电极(18),以及制造一在该电容器绝缘体(14)上而且至少部分围绕该含金属上电极(18)之含介电质场导正层(22)。制造该含介电质场导正层(22)可包含氧化该含金属场导正层(18)的一侧壁(22)。于制造该含金属上电极(18)前,可在该电容器绝缘体(14)上制造一阻障层(16)。
申请公布号
TWI388053
申请公布日期
2013.03.01
申请号
TW095146368
申请日期
2006.12.12
申请人
飞思卡尔半导体公司 美国
发明人
道格拉斯R 罗伯;艾瑞克D 路考斯基;夏伊德 洛夫;彼得 LG 凡赛克
分类号
H01L27/13
主分类号
H01L27/13
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
美国
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