具有倒Ｔ形鳍片之多重闸电晶体

摘要

一种形成一积体电路结构之方法，包括形成一第一绝缘区以及一第二绝缘区于该半导体基材中，且彼此相对；以及形成一具有倒T形之磊晶半导体区。该磊晶半导体区包括有一水平盘，其包含有一底部介于并邻接该第一绝缘区与该第二绝缘区；以及一鳍片，邻接该水平盘并在其上方。该水平盘之底部接触该半导体基材。本方法更包括有形成一闸极介电体于该鳍片之一上表面以及至少该鳍片之侧壁之顶部；以及形成一闸极电极于该闸极介电体之上方。