发明名称 用以预处理及稳定蚀刻腔室之方法及蚀刻腔室、制程腔室之清洁方法
摘要 本发明提供一种用以蚀刻腔室之清洁方法,包含提供一蚀刻腔室;导入一含有惰性气体之第一气体至蚀刻腔室中持续一第一时间;以及在持续第一时间后,传送一第一晶圆进入蚀刻腔室,对第一晶圆进行蚀刻制程。
申请公布号 TWI388027 申请公布日期 2013.03.01
申请号 TW098131884 申请日期 2009.09.22
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 发明人 林毓超;陈嘉仁;林益安;林志忠
分类号 H01L21/67;H01L21/3065 主分类号 H01L21/67
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号