发明名称 |
用以预处理及稳定蚀刻腔室之方法及蚀刻腔室、制程腔室之清洁方法 |
摘要 |
本发明提供一种用以蚀刻腔室之清洁方法,包含提供一蚀刻腔室;导入一含有惰性气体之第一气体至蚀刻腔室中持续一第一时间;以及在持续第一时间后,传送一第一晶圆进入蚀刻腔室,对第一晶圆进行蚀刻制程。 |
申请公布号 |
TWI388027 |
申请公布日期 |
2013.03.01 |
申请号 |
TW098131884 |
申请日期 |
2009.09.22 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
林毓超;陈嘉仁;林益安;林志忠 |
分类号 |
H01L21/67;H01L21/3065 |
主分类号 |
H01L21/67 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |