用于相变记忆体封装之方法、装置及系统

摘要

根据一实施例，本案揭示一种晶粒总成，其包含一封装体基体以及在该封装体基体上之多个堆叠晶粒，该等多个堆叠晶粒包括至少一个最上方晶粒、一个最下方晶粒、以及在该最上方晶粒与该最下方晶粒间之至少一个相变记忆体晶粒，其中该最上方晶粒与最下方晶粒是非功能性间隔晶粒。