主光罩层之形成

摘要

本发明提供一种用于形成应变半导体层之制程。该制程包括使一含氯气体(例如，氯化氢、氯气、四氯化碳及三氯乙烷)流过晶圆，并同时加热该晶圆。在一实例中，该含氯气体系于一凝结制程期间在一用作一主光罩层之半导体层上流过，以形成一应变半导体层(例如，应变矽)。在其他实例中，该含氯气体系在凝结制程后该晶圆之后烘焙期间流过。