| 发明名称 |
PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF A TRANSISTORS CONTRAINTS PAR SILICIURATION DES ZONES DE SOURCE ET DE DRAIN |
| 摘要 |
<p>La présente demande concerne un procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique à transistors dans lequel on forme pour certains transistors des zones de source et de drain siliciurées exerçant une contrainte sur le canal.</p> |
| 申请公布号 |
FR2979480(A1) |
申请公布日期 |
2013.03.01 |
| 申请号 |
FR20110057532 |
申请日期 |
2011.08.25 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES |
发明人 |
NEMOUCHI FABRICE;GERGAUD PATRICE;POIROUX THIERRY;PREVITALI BERNARD |
| 分类号 |
H01L21/337;H01L21/04 |
主分类号 |
H01L21/337 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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