摘要 |
Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (13) geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Auf der Spiegelschicht (5) ist eine Schutzschicht (6) angeordnet, die ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist. |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
PERZLMAIER, KORBINIAN;GEHRKE, KAI;WALTER, ROBERT;ENGL, KARL;WEISS, GUIDO;MAUTE, MARKUS;RAMMELSBERGER, STEFANIE |