发明名称 Leuchtdiodenchip
摘要 Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (13) geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Auf der Spiegelschicht (5) ist eine Schutzschicht (6) angeordnet, die ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist.
申请公布号 DE102011112000(A1) 申请公布日期 2013.02.28
申请号 DE201110112000 申请日期 2011.08.31
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 PERZLMAIER, KORBINIAN;GEHRKE, KAI;WALTER, ROBERT;ENGL, KARL;WEISS, GUIDO;MAUTE, MARKUS;RAMMELSBERGER, STEFANIE
分类号 H01L33/44 主分类号 H01L33/44
代理机构 代理人
主权项
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