发明名称 |
Halbleiteranordnung mit einer Diffusionslotschicht auf einer gesinterten Silberschicht |
摘要 |
Eine Halbleiteranordnung umfasst ein Substrat und eine auf dem Substrat angeordnete, erste gesinterte Silberschicht. Die Halbleiteranordnung umfasst einen ersten Halbleiterchip, sowie eine erste Diffusionslotschicht. Die erste gesinterte Silberschicht und die Diffusionslotschicht sind zwischen dem ersten Halbleiterchip und dem Substrat angeordnet und verbinden diese miteinander. |
申请公布号 |
DE102012214901(A1) |
申请公布日期 |
2013.02.28 |
申请号 |
DE201210214901 |
申请日期 |
2012.08.22 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
OESCHLER, NIELS;TRUNOV, KIRILL;SPECKELS, ROLAND |
分类号 |
H01L23/15;H01L21/58;H01L21/60;H01L23/498 |
主分类号 |
H01L23/15 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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