发明名称 Halbleiteranordnung mit einer Diffusionslotschicht auf einer gesinterten Silberschicht
摘要 Eine Halbleiteranordnung umfasst ein Substrat und eine auf dem Substrat angeordnete, erste gesinterte Silberschicht. Die Halbleiteranordnung umfasst einen ersten Halbleiterchip, sowie eine erste Diffusionslotschicht. Die erste gesinterte Silberschicht und die Diffusionslotschicht sind zwischen dem ersten Halbleiterchip und dem Substrat angeordnet und verbinden diese miteinander.
申请公布号 DE102012214901(A1) 申请公布日期 2013.02.28
申请号 DE201210214901 申请日期 2012.08.22
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 OESCHLER, NIELS;TRUNOV, KIRILL;SPECKELS, ROLAND
分类号 H01L23/15;H01L21/58;H01L21/60;H01L23/498 主分类号 H01L23/15
代理机构 代理人
主权项
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