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Die vorliegende Erfindung umfasst ein Verfahren zum Herstellen eines epitaktischen Siliziumwafers mit einer homoepitaktischen Siliziumschicht, die an einer Oberfläche eines Silizium-Einkristallwafers ausgebildet ist, umfassend die folgenden Schritte: Herstellen des Silizium-Einkristallwafers derart, dass eine Ebenenorientierung des Silizium-Einkristallwafers in einem Winkel im Bereich von 0,1° bis 8° in einer <112> Richtung von einer {110} Ebene geneigt ist; und Züchten der homoepitaktischen Siliziumschicht auf dem hergestellten Silizium-Einkristallwafer. Gemäß der vorliegenden Erfindung werden ein epitaktischer Siliziumwafer mittels des {110} Substrats mit verbesserter Oberflächenqualität, wie beispielsweise Trübung und Oberflächenrauigkeit, und ein Verfahren zum Herstellen des epitaktischen Siliziumwafers zur Verfügung gestellt.
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