Nichtflüchtige Halbleiterspeicher und Verfahren zur Herstellung solcher Speicher

摘要

Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher (30), umfassend ein Halbleitersubstrat (1) und eine Vielzahl von Speicherzellen (19), wobei jede Speicherzelle (19) ein Ladungsspeicherelement (5), einen Gate-Stapel (20), Nitrid-Abstandhalter (10) und elektrisch isolierende Elemente (21) umfasst, wobei in jeder der Speicherzellen (19): – das Ladungsspeicherelement (5) auf dem Halbleitersubstrat (1) angeordnet ist und eine Nitridschicht (3) umfasst, die zwischen einer unteren Oxidschicht (2) und einer oberen Oxidschicht (4) eingebettet ist, wobei das Ladungsspeicherelement (5) zwei Seitenwände (24) aufweist, die einander gegenüberliegen, – der Gate-Stapel (20) auf dem Ladungsspeicherelement (5) angeordnet ist und zwei Seitenwände (25) aufweist, die einander gegenüberliegen, – die elektrisch isolierenden Elemente (21) an gegenüberliegenden Seitenwänden (24) des Ladungsspeicherelements (5) angeordnet sind und die Seitenwände (24) des Ladungsspeicherelements (5) bedecken, und – die Nitrid-Abstandhalter (10) die elektrisch isolierenden Elemente (21) vollständig bedecken, wobei die Nitrid-Abstandhalter (10) auf gegenüberliegenden Seitenwänden (25) des Gate-Stapels (20) und auf den elektrisch isolierenden Elementen...