发明名称 CIRCUITS AND METHODS FOR MEMORY
摘要 Embodiments for data dependent boosted (DDB) bit cells that may allow for smaller minimum cell supplies (Vmin) without necessarily having to increase device dimensions are presented.
申请公布号 WO2013002868(A3) 申请公布日期 2013.02.28
申请号 WO2012US32688 申请日期 2012.04.09
申请人 INTEL CORPORATION;KULKARNI, JAYDEEP P.;SOMASEKHAR, DINESH;TSCHANZ, JAMES W.;DE, VIVEK K. 发明人 KULKARNI, JAYDEEP P.;SOMASEKHAR, DINESH;TSCHANZ, JAMES W.;DE, VIVEK K.
分类号 G11C7/10;G11C8/14 主分类号 G11C7/10
代理机构 代理人
主权项
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