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Austauschkopplungsschicht, bei der eine antiferromagnetische Schicht (4) in direktem Kontakt mit einer ferromagnetischen Schicht (3) ausgebildet ist, ein anisotropes Austauschmagnetfeld an der Grenzfläche zwischen der antiferromagnetischen Schicht (4) und der ferromagnetischen Schicht (3) erzeugt wird und die Magnetisierungsrichtung der antiferromagnetischen Schicht in einer vorgeschriebenen Richtung festgelegt ist, wobei die antiferromagnetische Schicht (4) aus einem antiferromagnetischen Material ausgebildet ist, das mindestens die Elemente X (wobei X eines oder zwei oder mehrere der Elemente Pt, Pd, Ir, Rh, Ru und Os ist) und Mn enthält, mindestens ein Teil der Kristallstruktur der antiferromagnetischen Schicht (4) nach einer Wärmebehandlung an der Grenzfläche ein tetragonal-flächenzentriert geordnetes Gitter vom L10-Typ annimmt, die Kristallausrichtung der antiferromagne-tischen Schicht (4) verschieden ist von der Kristallausrichtung der ferromagnetischen Schicht an der Grenzfläche zwischen der antiferromagnetischen Schicht und der ferromagnetischen Schicht, und wobei die Grenzflächenstruktur zwischen der antiferromagnetischen Schicht und der ferromagnetischen Schicht nicht-kohärent ist. |
