Verfahren zur Herstellung periodischer kristalliner Silizium-Nanostrukturen
摘要
Ein preisgünstiges Verfahren zur Herstellung großflächiger periodischer kristalliner Silizium-Nanostrukturen umfasst mindestens die folgenden Verfahrensschritte: Erzeugen einer periodischen Struktur mit einer Gitterkonstante zwischen 100 nm und 2μm auf einem Substrat, wobei als Substrat ein bis mindestens 570°C stabiles Material verwendet wird und die Struktur mit periodisch wiederkehrenden flachen und steilen Gebieten/Flanken erzeugt wird, und anschließend Abscheiden von Silizium mittels eines gerichteten Abscheideverfahrens auf das periodisch strukturierte Substrat mit einer Dicke im Bereich vom 0,2- bis 3-fachen der Gitterkonstante also von 40 nm bis 6μm–bei einer Substrattemperatur von bis zu 400°C, danach thermisches Behandeln der abgeschiedenen Si-Schicht zwecks Festphasenkristallisation bei Temperaturen zwischen 570°C und 1.400°C über wenige Minuten bis zu mehreren Tagen. in einem anschließend durchführbaren optionalen nasschemischen selektiven Ätzschritt werden die entstandenen porösen Gebiete der Si-Schicht entfernt.
申请公布号
DE102011111629(A1)
申请公布日期
2013.02.28
申请号
DE201110111629
申请日期
2011.08.25
申请人
HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUER MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH
发明人
BECKER, CHRISTIANE, DR.;SONTHEIMER, TOBIAS;RUDIGIER-VOIGT, EVELINE, DR.;BOCKMEYER, MATTHIAS, DR.;RECH, BERND, PROF. DR.