| 摘要 |
Ein Siliziumreinigungsverfahren beinhaltend einen Erstarrungsreinigungsvorgang, in welchem Metallunreinheiten durch Bestrahlen eines aus metallischem Silizium hergestellten Basismaterials mit einem Elektronenstrahl (EB) entfernt werden. Der Erstarrungsreinigungvorgang umfasst in der Reihe nach: Bereitstellen des zu reinigenden Basismaterials (20a) zu einem Zeitpunkt, Zuführen eines Teils des Basismaterials (20a) in einen wassergekühlten Tiegel (10), Bestrahlen des gesamten Bereichs des Teils des zugeführten Basismaterials (20a), der sich unter einer hohen Vakuumatmosphäre befindet, mit dem Elektronenstrahl (EB) und dabei vollständiges Schmelzen des Teils des Basismaterials (20a); graduelles Erstarren des geschmolzenen Teils des Basismaterials (20a) von einer Unterseite des geschmolzenen Metalls hin zu einer geschmolzenen Metalloberfläche derselben durch graduelles Abschwächen einer Abgabe des Elektronenstrahls (EB), so dass das Erstarren fortschreitet, bis die erstarrte Menge einen ersten vorbestimmten Anteil des gesamten Basismaterials (20a) einnimmt; weiteres Zuführen des Rests (20f) des Basismaterials (20a) in den wassergekühlten Tiegel (10) und vollständiges Schmelzen des Rests (20f) des Basismaterials durch Bestrahlen des gesamten Bereichs des Rests des Basismaterials (20a) mit dem Elektronenstrahl (EB); graduelles Erstarren des geschmolzenen Teils (20d) des Metalls von dessen Unterseite hin zu deren geschmolzenen Metalloberfläche durch graduelles Abschwächen einer Abgabe des Elektronenstrahls (EB), so dass die Verfestigung fortschreitet, bis der erstarrte Teil einen zweiten vorbestimmten Anteil des gesamten geschmolzenen Teils (20d) des Metalls einnimmt; und Entfernen eines nicht erstarrten geschmolzenen Teils (20j) des Metalls.
|
