| 发明名称 | 互补型阻变存储器及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种互补型阻变存储器及制备方法。该存储器，由下至上依次包括底电极、氧储备层、存储介质层和顶电极。其中，二氧化钛纳米存储介质层和氮氧化钛氧存储层是通过将氮化钛薄膜进行等离子体氧化的方法制备。通过电激励使氧空位在纳米存储介质层的上、下两个界面间分布，实现互补型阻变功能。本发明提供的存储器，有效解决了阻变存储器交叉阵列中的串扰问题，具有制备方法简单、成本低等特点，用于开发高存储密度、低功耗、纳米尺度非易失性阻变存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN102945923A | 申请公布日期 | 2013.02.27 |
| 申请号 | CN201210418767.7 | 申请日期 | 2012.10.26 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 潘峰;唐光盛;曾飞;陈超;刘宏燕;宋成 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 一种互补型阻变存储器，由下至上依次包括底电极、氧储备层、存储介质层和顶电极。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室 | ||