水平结构的LED芯片

摘要

本发明涉及一种水平结构的LED芯片，正装或倒装的LED芯片及GaN层、n-GaN层和p-GaN层上涂覆一层透明SiO2绝缘层，并在n-GaN和p-GaN层上分别镀上电极。正装芯片或倒装LED芯片的衬底为透明基板，蓝宝石或碳化硅。透明SiO2绝缘层的材料为硅胶，树脂或者是非导电有机薄膜。本发明的水平结构的LED芯片使得LED芯片在封装制造中，能够像传统贴片电阻、电容那样，用固晶机或贴片机直接贴到基板或支架上，相比较于传统的LED封装制造，适用于更多的LED芯片的封装方式、增加了LED芯片的封装基板材料、提高了LED芯片的封装效率、提升了LED芯片的封装产能。

主权项

一种水平结构的LED芯片，包括正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n‑GaN层（5）和p‑GaN层（2），其特征在于：所述正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n‑GaN层（5）和p‑GaN层（6）上涂覆一层透明SiO2绝缘层（3）， 并在n‑GaN层（5）和p‑GaN层（2）上分别镀上电极。