发明名称 在非易失性存储元件的感测期间减小沟道耦合效应
摘要 通过将在读取期间发生的沟道耦合的量与在验证期间发生的沟道耦合的量相匹配来降低在非易失性存储器的验证和读取期间的沟道耦合效应。在验证和读取期间所有位线可以一起被读取。在一个实施例中,当验证多个经编程状态的每个时在位线上建立第一偏压条件。当验证每个状态时可以建立一组单独的第一偏压条件。对位线偏压可以基于该位线上的非易失性存储元件正被编程到的状态。对每个正被读取的状态建立一组单独的第二偏压条件。对于给定状态的第二偏压条件基本匹配于对于给定状态的第一偏压条件。
申请公布号 CN102947888A 申请公布日期 2013.02.27
申请号 CN201180022609.3 申请日期 2011.05.03
申请人 桑迪士克科技股份有限公司 发明人 董颖达;李艳;C.许
分类号 G11C11/56(2006.01)I 主分类号 G11C11/56(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 黄小临
主权项 一种用于操作非易失性存储系统的方法,该非易失性存储系统包括与字线相关联的多条位线,多个非易失性存储元件与该字线相关联,该方法包括:将一个或多个编程电压施加到该字线(720);当验证多个经编程状态的每个时,在所述多条位线上建立第一偏压条件,当验证每个经编程状态时,建立一组单独的第一偏压条件,对位线偏压是基于该位线上的非易失性存储元件正被编程到的状态(804);在建立第一偏压条件之后,感测所述多条位线的位线条件(806);在读取处理期间在所述多条位线上建立第二偏压条件,对于正被读取的每个经编程状态建立一组单独的第二偏压条件,对于给定经编程状态的第二偏压条件基本匹配于对于该给定经编程状态的第一偏压条件(824);以及在读取处理期间感测非易失性存储元件的位线(826)。
地址 美国得克萨斯州