等离子体损伤检测结构及其制作方法

摘要

本发明揭露了一种等离子体损伤检测结构及其制作方法，该等离子体损伤检测结构包括：半导体衬底；第一图层，设置在第一介质层中，其包括形成于半导体衬底上的半导体器件以及保护二极管；第二图层，设置在第二介质层中，其包括第一导线以及第二导线，所述第一导线与半导体器件电连接，所述第二导线与保护二极管电连接；第三图层，设置在第三介质层中，其包括天线结构以及底层焊垫，所述天线结构与第一导线电连接，所述底层焊垫与第二导线电连接；顶层图层，设置在顶层介质层中，其包括顶层金属线以及顶层焊垫，所述顶层金属线与第一导线和第二导线电连接，所述顶层焊垫与底层焊垫电连接。本发明可准确的检测天线效应的强弱。

主权项

一种等离子体损伤检测结构的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一介质层，并在所述第一介质层中形成第一图层，所述第一图层包括半导体器件以及保护二极管；在所述第一介质层上形成第二介质层，并在所述第二介质层中形成第二图层，所述第二图层包括第一导线以及第二导线，所述第一导线与所述半导体器件电连接，所述第二导线与所述保护二极管电连接；在所述第二介质层上形成第三介质层，并在所述第三介质层中形成第三图层，所述第三图层包括天线结构以及底层焊垫，所述天线结构与所述第一导线电连接，所述底层焊垫与所述第二导线电连接；在所述第三介质层上形成顶层介质层，并在所述顶层介质层中形成顶层图层，所述顶层图层包括顶层金属线以及顶层焊垫，所述顶层金属线分别与所述第一导线和所述第二导线电连接，所述顶层焊垫与所述底层焊垫电连接。