检测结构和电阻测量方法

摘要

检测结构和电阻测量方法。本发明提供的检测结构，用于检测阱区的注入、源区的注入和接触孔形成采用同一块光罩经同一道光刻工艺形成的沟槽式MOS的电阻，设置在所述沟槽式MOS的外围区域，包括两种结构，根据金属连线的距离的不同来分别测量了阱区和源区注入使用同一块光罩和同一道光刻工艺的沟槽式MOS的薄层电阻，具体是将相邻两个金属连线之间的距离设置为大于和小于等于检测源区扩散距离的2倍，而由于是与沟槽式MOS采用相同工艺形成，故测得的电阻可以分别等效为所述沟槽式MOS的阱区薄层电阻和源区薄层电阻。

主权项

一种检测结构，用于检测阱区的注入、源区的注入和接触孔形成采用同一块光罩经同一道光刻工艺形成的沟槽式MOS的电阻，所述检测结构位于所述沟槽式MOS的外围区域，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上的多个相连的检测阱区，位于所述检测阱区中的检测源区、金属连线和重掺杂区，所述金属连线贯通所述检测源区与所述重掺杂区连通；所述相邻两个金属连线之间的距离大于所述检测源区扩散距离的2倍。