通过加工引发的单轴向应变控制介电薄膜内的铁电性

摘要

本发明涉及通过加工引发的单轴向应变控制介电薄膜内的铁电性。一种控制集成电路设备部件铁电特性的方法，包括在衬底上成形铁电性可控的介电层；并且紧靠铁电性可控的介电层成形应力施加结构，从而通过应力施加结构在铁电性可控的介电层内引发基本单轴向的应变；其中铁电性可控的介电层包括以下中的一个或多个：铁电性氧化物层以及在没有施加应力时不会表现出铁电性质的通常无铁电性的材料层。

主权项

一种控制集成电路设备部件铁电特性的方法，所述方法包括：在衬底上成形铁电性可控的介电层；并且紧靠铁电性可控的介电层成形应力施加结构，从而通过应力施加结构在铁电性可控的介电层内引发基本单轴向的应变；其中铁电性可控的介电层包括以下中的一个或多个：铁电性氧化物层以及在没有施加应力时不会表现出铁电性质的通常无铁电性的材料层。