在FET器件中形成具有低缺陷密度的镍硅化物的方法和装置

摘要

本发明提供了一种方法和装置，其中定向和非方向金属(例如Ni)沉积步骤在同一工艺腔室中执行。形成第一等离子体用于从靶移除材料；在连接到RF发生器的环形电极(例如Ni环)内部中形成第二等离子体用于提高材料的离子密度。在没有第二等离子体和衬底的电偏置的条件下，材料非定向地沉积在衬底上，而当存在第二等离子体并且衬底被电偏置时，材料定向地沉积在衬底上。从沉积的金属形成的镍硅化物比从单纯定向工艺中沉积的金属形成的NiSi具有更低的栅多晶硅薄膜电阻并且可以具有更低的管道缺陷密度，并且比从单纯非定向工艺中沉积的金属形成的NiSi具有更低的源/漏接触电阻。

主权项

一种在衬底上沉积镍的方法，包括以下步骤：在非定向工艺中在所述衬底上沉积镍；在定向工艺中在所述衬底上沉积镍；以及随后从所述镍和所述沉积的镍下面的硅形成镍硅化物，其中所述沉积步骤在同一沉积腔室中执行，并且以任意顺序执行。