包括反熔丝电路的半导体器件和向反熔丝电路写入地址的方法

摘要

本发明提供了一种包括反熔丝电路的半导体器件和向反熔丝电路写入缺陷地址的方法。根据本发明的反熔丝电路包括：反熔丝元件，以非易失的方式来保持数据；锁存电路，暂时地保持要被写入到反熔丝元件的数据。能够以纳秒的数量级执行对锁存电路的写入，因而，即使当各自不同的缺陷地址被写入到多个芯片时，可以在非常短的时间段完成对锁存电路的写过程。由此，可以对芯片并行地执行对反熔丝元件的写入的实际过程，结果，可以以高速执行对反熔丝元件的写入过程。

主权项

一种具有反熔丝电路的半导体器件，所述反熔丝电路包括：反熔丝元件，其包含晶体管并且永久地存储数据；锁存电路，暂时地存储要被写入到所述反熔丝元件中的数据；以及写晶体管，连接在所述锁存电路和所述反熔丝元件之间，并且，所述锁存电路的输出被经由所述写晶体管提供到所述反熔丝元件的晶体管的栅极。