发明名称 |
半导体封装结构 |
摘要 |
一种半导体封装结构,包括:芯片,所述芯片表面具有金属互连结构,位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层;位于所述金属互连结构上的柱状电极,所述柱状电极周围暴露出部分金属互连结构;位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面、柱状电极周围暴露出的金属互连结构表面的扩散阻挡层;位于所述扩散阻挡层表面的焊球,所述焊球至少包裹在所述柱状电极顶部和侧壁的表面。由于所述扩散阻挡层位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面和柱状电极周围的金属互连结构表面,使得柱状电极与所述焊球相隔离,不会形成锡铜界面合金化合物,且所述扩散阻挡层能提高柱状电极和金属互连结构表面的结合力,使得柱状电极不容易从金属互连结构表面脱离。 |
申请公布号 |
CN102945836A |
申请公布日期 |
2013.02.27 |
申请号 |
CN201210444153.6 |
申请日期 |
2012.11.08 |
申请人 |
南通富士通微电子股份有限公司 |
发明人 |
林仲珉;陶玉娟 |
分类号 |
H01L23/488(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种半导体封装结构,其特征在于,包括:芯片,所述芯片表面具有金属互连结构,位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层;位于所述金属互连结构上的柱状电极,所述柱状电极周围暴露出部分金属互连结构;位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面、柱状电极周围暴露出的金属互连结构表面的扩散阻挡层;位于所述扩散阻挡层表面的焊球,所述焊球至少包裹在所述柱状电极顶部和侧壁的表面。 |
地址 |
226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 |