一种电子型氮铟镓n-In_xGa_1-xN薄膜及其制备

摘要

一种电子型氮铟镓n-InxGa1-xN薄膜，化学分子式为InxGa1-xN，式中x为0.05-0.3，导电类型为n型，即Si掺杂电子型，薄膜厚度为0.6-1.5µm；其制备方法是：在MOCVD沉积系统的进样室中，对衬底表面进行等离子体清洗，然后在MOCVD沉积系统的沉积室中，采用MOCVD工艺在衬底表面沉积一层掺Si的n-InxGa1-xN薄膜。本发明的优点是：电子型氮铟镓n-InxGa1-xN薄膜，对应于太阳光谱具有几乎完美的匹配带隙，为利用单一半导体材料来设计、制备更为高效的多结太阳电池提供了可能，且其吸收系数高，载流子迁移率高，抗辐射能力强；其制备工艺简单易行，有利于大规模推广应用。

主权项

一种电子型氮铟镓n‑InxGa1‑xN薄膜，其特征在于：化学分子式为InxGa1‑xN，式中x为0.05‑0.3，导电类型为n型，即Si掺杂电子型；该氮铟镓n‑InxGa1‑xN薄膜沉积在衬底上，薄膜厚度为0.6‑1.5μm。