| 发明名称 | 用于EUV光刻的掩模、EUV光刻系统和用于优化掩模的成像的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于EUV光刻的掩模(105)，其包含：基板(107)；施加于基板(107)的多层涂层(108)；以及施加于多层涂层(108)并具有吸收体材料的掩模结构(109)，该掩模结构(109)具有小于100nm的最大厚度，优选地不超过30nm的最大厚度，尤其优选地是20nm，尤其是10nm。本发明还涉及具有这种掩模(105)的EUV光刻系统以及优化掩模(105)的成像的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102947759A | 申请公布日期 | 2013.02.27 |
| 申请号 | CN201180029828.4 | 申请日期 | 2011.06.10 |
| 申请人 | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 | 发明人 | J.劳夫;D.克莱默 |
| 分类号 | G03F1/24(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/24(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种用于EUV光刻的掩模(105)，其包含：基板(107)；多层涂层(108)，其施加于所述基板(107)；以及掩模结构(109)，其施加于所述多层涂层(108)并具有吸收体材料，所述掩模结构(109)具有小于100nm的最大厚度，优选地不超过30nm的最大厚度，尤其优选地是20nm，尤其是10nm。 | ||
| 地址 | 德国上科亨 | ||