使用可变形束的曝光方法以及使用所述方法的图案形成方法

摘要

本发明提供了一种使用可变形束的曝光方法，可以在校正电路图案的设计CD的CD线性度期间，最小化临界尺寸(CD)分布和目标平均(MTT)差值，还提供了一种使用该曝光方法的图案形成方法。在曝光方法中，确定用于使电路图案曝光的射束的设计尺寸是小于特定值还是大于特定值。如果设计尺寸大于该值，则线性地校正射束的尺寸。当设计尺寸小于该值时，非线性地校正射束的尺寸。

主权项

一种使用可变形束的曝光方法，所述方法包括：确定射束的设计尺寸是小于特定值还是大于特定值，所述射束用于对电路图案进行曝光；如果设计尺寸大于特定值，则对射束的尺寸进行线性校正；以及如果设计尺寸小于特定值，则对射束的尺寸进行非线性校正；其中，设计尺寸小于特定值包括：射束沿第一方向的设计尺寸和沿第二方向的设计尺寸中的至少一项小于特定值，所述第一方向是X轴方向，以及所述第二方向是Y轴方向，小于特定值的沿X轴方向的设计尺寸和沿Y轴方向的设计尺寸中的至少一项具有非线性变化范围内的目标平均(MTT)值，以及所述非线性校正包括：确定射束的沿X轴方向和Y轴方向的至少一个方向的校正量，所述校正量基于所述设计尺寸，在产生射束之前确定校正量；以及基于所述校正量，控制沿X轴方向和Y轴方向的至少一个方向的射束的设计尺寸。