| 发明名称 | 通过痕量气体浓度的监测来检测晶圆等离子处理中的电弧事件 | ||
| 摘要 | 提供了检测半导体等离子处理装置中的基板电弧的方法。将基板放置在等离子处理装置的反应室内的基板支撑件上。将工艺气体引入该反应室。由该工艺气体产生等离子，且用该等离子处理该基板。监测在等离子处理过程中该反应室中产生的选定气体物种的实时光谱信号强度。该选定气体物种是由基板电弧事件生成的。当该强度高于临界值时，该电弧事件被检测到。 | ||
| 申请公布号 | CN102027576B | 申请公布日期 | 2013.02.27 |
| 申请号 | CN200980117499.1 | 申请日期 | 2009.05.04 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 埃里克·赫德森;安德列亚斯·费希尔 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 周文强;李献忠 |
| 主权项 | 在半导体等离子处理装置中检测基板电弧的方法，包括：将基板放置在等离子处理装置的反应室内的基板支撑件上；将工艺气体引入至该反应室；从该工艺气体产生等离子；用该等离子处理该基板；监测在等离子处理过程中该反应室内产生的选定气体物种的实时光谱信号强度，其中该选定气体物种由基板电弧事件产生；以及检测当该强度高于临界值时的该电弧事件。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||