| 发明名称 | 基板处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基板处理方法，能够提高硅层相对于作为掩模层的氧化膜层的蚀刻选择比。将包括作为掩模层的SiO2层(62)和作为处理对象层的硅层(61)的晶片W搬入到处理模块(25)的腔室(42)内，利用由NF3气体、HBr气体、O2气体和SiCl4气体的混合气体生成的等离子体，使沉积物(65)堆积在SiO2层(62)表面，以确保作为掩模层的层厚，并且对硅层(61)进行蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN101770946B | 申请公布日期 | 2013.02.27 |
| 申请号 | CN200910265524.2 | 申请日期 | 2009.12.25 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 小笠原幸辅;伊藤清仁 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种基板处理方法，对包括作为掩模层的氧化膜和作为处理对象层的硅层的基板进行处理，该基板处理方法的特征在于，包括：沉积蚀刻步骤，利用由氟类气体、溴类气体、氧气和SiCl4气体的混合气体生成的等离子体，使沉积物堆积在所述氧化膜表面以确保作为所述掩模层的层厚，并对所述硅层进行蚀刻，将所述SiCl4气体的流量调整成相对于总处理气体流量为0.5～3％，所述溴类气体为HBr气体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||