氮化硼和氮化硼导出材料的沉积方法

摘要

本发明是提供形成含硼薄膜的方法，该方法包括：将含硼前体及含氮前体或含氧前体导入一腔室中；以及在腔室中的一基板上形成氮化硼或氧化硼薄膜。在一实施态样中，该方法包括沉积含硼薄膜，并接着将该含硼薄膜暴露于含氮或含氧前体，以使氮或氧并入薄膜中。含硼薄膜的沉积及将该薄膜暴露于前体的步骤可进行多个循环，以获得具有期望厚度的薄膜。在另一实施态样中，该方法包括使含硼前体与含氮或含氧前体反应，以化学气相沉积氮化硼或氧化硼薄膜。

主权项

一种形成氮化硼薄膜的方法，包括：将一含硼前体导入一腔室中；在存在有等离子的情形下由该含硼前体而在该腔室中的一基板上沉积一含硼薄膜；在沉积该含硼薄膜后，在第一等离子处理中使用含氮前体处理该含硼薄膜以在该薄膜中并入氮，并形成氮化硼薄膜；以及重复所述导入、所述沉积及所述处理步骤，直到获得具有一期望厚度的该氮化硼薄膜。